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zoom RSS 半導体レーザの特許分類(まとめに変えて)

<<   作成日時 : 2008/05/04 18:58   >>

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 半導体レーザの話にやはり1年かかってしまいました。話題はまだまだあるのですが、もっとも重要なところは大体説明したと思いますので、これでお終いにします。最後に特許分類について概略を紹介しておきます。半導体レーザに関する分類はFI、Fタームともかなり充実しています。以下に説明するように半導体レーザの技術全体を見渡すのにも役立つと思います。詳細はIPDLのパテントマップガイダンスで確認してください。

(1)FI
 半導体レーザはH01S5/00に分類されています。この下につぎの7つの分類があります。
●H01S5/02:レーザ作用にとって本質的でないもの。マウントやハウジング(022)、冷却装置(024)、他の素子とのモノリシック集積(026)、コーティング(028)があります。
●H01S5/04:励起方法。電極(042,612)、コンタクト層(042,614)、駆動回路(042,630)などがこのなかに入ります。
●H01S5/06:特性のコントロール。光ディスクへの応用のところで出てきた自励発振型が065,610に分類されています。
●H01S5/10:共振器の構造。DFBレーザ(12)、DBRレーザ(125)、外部共振器型(14)、窓構造(16)、面発光型(18)、面発光型のうち垂直共振器によるもの(183)と重要な分類項目が並んでいます。
●H01S5/20:導波路の構造。リッジまたはストライプ構造(22)、埋め込みメサ構造(227)などがあります。
●H01S5/30:活性層の構造、材料。pn接合からなるものが32で、材料によってVーV族(323)、そのうち窒素を含むもの(323,610)、U−Y族(327)に分類されています。量子井戸構造は別に34に分けられ、その材料が同じように分類されています。
●H01S5/40、H01S5/50:いずれも上記30まで分類できないものという条件付きで、レーザの複数配列と光増幅器の構造という分類になっています。

(2)Fターム
 半導体レーザのテーマコードは5F173です。以下に概要を説明します。
●AA:FIの5/20に対応するような構造です。
●AB:FIの5/10に対応し、DFBレーザ(AA13)、外部共振器型(AA32)などが分類されています。
●AC:垂直共振器型にとくに割り当てられています。
●AD:FIの5/026に相当するモノリシック集積です。
●AF、AG:半導体の積層構造で活性層(AF01)、クラッド層(AF21)、ガイド層(AF41)などが並んでいます。
●AH:活性層の材料で、FIよりずっと細かい分類になっています。
●AJ:不純物、AK:電極、AL:コーティング膜。
●AP、AQ:製造方法で、結晶成長方法(AP01)、エッチング(AP21)などがあります。
●AR:FIにはない課題、目的による分類です。
●MA〜ME:ここではあまりとりあげていない実装技術の分類です。
●MF:組み合わせる光学部品で光ファイバ(MF23)やレンズ(MF39)などがあります。
●SC 〜SJ:これもここではあまり取り上げていないレーザの駆動方法、制御方法に関する分類です。
●ZM〜ZR:試験、検査に関する分類です。
 以上がFタームの概要ですが、半導体レーザに関する技術が網羅され、これを見ているとどのような技術があるかがわかってきます。

 じつは半導体レーザのFタームは2002年に全面改定されていて、その前までは5F073が使われていました。Fタームは改訂されるともちろん旧コードの付与はそこで止まりますが、新しいコードの方は過去に遡って付け直しが行われます。ただし作業にはかなり時間がかかり、5F173へのコードの付け直しは現時点ではまだ終わっていません。漏れがあてはいけない重要な調査であれば、5F173と5F073の両方を併用して検索する方が安全です。5F073については紹介を省略しますが、分類項目が少なく、技術の進歩であまり使われなくなった分類もあります。ですが調査対象によってはかえって使いやすい場合もあり、2001年以前の出願については役に立つ場合があります。
 以上で半導体レーザは完結です。

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